Аннотация:Одним из активно развивающихся направлений исследования физики графена является изучениевлияния подложки на его свойства и создание новых технологий эпитаксиального роста. Различие всиле взаимодействия подрешёток графена с подложкой приводит к появлению массовой щели вспектре фермионных возбуждений, и предполагается, что, по-разному нарушая симметрию подрешёток, можно изменять киральность дираковских фермионов в графене. В докладе представлены результаты исследования электронных свойств графена с пространственно неоднородной массовой щелью для случая сферически симметричной границы перехода киральности. Получены зависимости энергии состояний от параметров системы – радиусов киральных переходов. Приведены качественные обоснования получаемых результатов для спектральных зависимостей и форм волновых функций. Основным результатом является установление прямо пропорциональной зависимости энергии состояния от кривизны дефекта для задачи с переходом из отрицательной киральности в положительную.