|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральскогостатья Исследовательская статья
- Авторы: Верезуб Н.А., Простомолотов А.И.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Том: 27
- Номер: 2
- Год издания: 2024
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 132
- Последняя страница: 139
- Переводные версии: Simulation of MHD-influence on silicon melt flow in Czochralski process
- DOI: 10.17073/1609-3577j.met202310.603
- Аннотация: Обсуждается применение вращающегося магнитного поля (ВМП) в технологии выращивания кристаллов полупроводников из расплава методом Чохральского (МЧ), в том числе рассматриваются и применяются для верификации результатов данной работы известные данные физического моделирования течений электропроводящего раствора KOH в цилиндрическом тигле в ВМП. Рассматривается математическая модель гидродинамических процессов применительно к выращиванию монокристаллов кремния диаметром 100 мм на установке Редмет-30, оснащенной ВМП-магнитом. Приводятся результаты теста расчетного профиля азимутальной скорости с данными измерений в растворе KOH. В виде диаграммы устойчивости обобщаются результаты параметрических исследований устойчивости течений расплава в зависимости от частоты и величины индукции ВМП. https://met.misis.ru/jour/article/view/603
- Добавил в систему: Простомолотов Анатолий Иванович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 2. | Полный текст | статья_МЭТ_т27_2_с132-139_603-1996-1-PB.pdf | 665,0 КБ | 6 февраля 2025 [aiprosto] |