|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Two-dimensional electrons at n-GaAs/AlGaAs heterointerface under uniaxial compressionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Minina N.Y., Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Polyansky A.V., Kraak W., Savin A.M., Berman I.V.
- Журнал: Physica Status Solidi (B): Basic Research
- Том: 244
- Номер: 1
- Год издания: 2007
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 65
- Последняя страница: 69
- DOI: 10.1002/pssb.200672529
- Аннотация: It has been shown that under uniaxial compression P applied at low temperatures the transport properties of 2D electrons at a n-(001)GaAs/AlxGa1-xAs heterointerface are governed mainly by the piezoelectric field. It arises across the structure in the [001] direction when the stress is applied in the [110] or [1-10] directions and causes the corresponding compensating redistribution of charges that increases the 2D electron concentration in a quantum well if P parallel to [110] and decreases it if P parallel to [1-10]. The anisotropy of the 2D electron mobility does not significantly change under uniaxial stress up to 3.5 kbar and does not indicate the change of the energy spectrum anisotropy that takes place in a 2D hole system under compression.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна