|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electroluminescence in quantum well heterostructures p-Al(x)Ga(1-x)As/GaAs(1-y)P(y)/n-Al(x)Ga(1-x)As under uniaxial stressстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Berman Irina V., Bogdanov Evgeniy V., Kissel Heiko, Minina Natalia Ya, Shirokov Stanislav S., Alexander E Yunovich
- Журнал: Physica Status Solidi (B): Basic Research
- Том: 246
- Номер: 3
- Год издания: 2009
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 522
- Последняя страница: 526
- DOI: 10.1002/pssb.200880506
- Аннотация: We present new results on the influence of uniaxial stress up to P=4 kbar on the electroluminescence spectra and current-voltage characteristics of p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs double heterostructures usually used in TM emitting 808 nm high-power diode lasers. With increasing stress, the emission spectra demonstrate a blue shift of up to 25 meV at a pressure of P=4 kbar, while the electroluminescence intensity increases under compression. The different behavior of the current-voltage characteristics under uniaxial stress along [110] and [1-10] directions is mainly determined by the arising piezoelectric field. The results are also discussed in terms of changes in the band structure under uniaxial compression. The construction of the cryostat for optical measurements under uniaxial stress at liquid nitrogen temperature is described in the paper.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна