Temperature and fluence effects in lead-implanted cobalt single-crystalsстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 31 октября 2014 г.

Работа с статьей

[1] Temperature and fluence effects in lead-implanted cobalt single-crystals / A. Johansen, L. Sarholtkristensen, E. Johnson et al. // Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing. — 1989. — Vol. 115. — P. 49–55. The channelled sputtering yields of the h.c.p. and f.c.c. phases of cobalt depend on the crystal structure and the radiation-induced damage. Earlier irradiations of cobalt with argon ions channelled in the 〈0001〉hcp direction give sputtering yields higher than expected in the temperature range 100–350oC. This effect was attributed to a combination of radiation-induced damage and a possible implantation-induced h.c.p. → f.c.c. phase transition. Sputtering yields for cobalt single crystals irradiated with 150 keV Pb+ ions along the 〈0001〉 direction of the h.c.p. phase and the 〈111〉 direction of the f.c.c. phase have been measured using the weight loss method. The radiation damage and the amount of lead retained in the implanted surface have been investigated by “in situ” Rutherford backscattering-channelling analysis. Measured partial sputtering yields of lead of approximately 1 atom ion−1 indicate preferential sputtering of lead atoms. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть