Study of silicon implanted with zinc and oxygen ions via Rutherford backscattering spectroscopyстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Study of silicon implanted with zinc and oxygen ions via rutherford backscattering spectroscopy / V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin et al. // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2014. — Vol. 8, no. 4. — P. 794–800. The structural features and dopant profiles of a Si surface layer implanted with Zn+ and O+ ions are studied via Rutherford backscattering spectroscopy based on the analysis of He2+-ion spectra with the use of the channeling technique. The doping-impurity redistribution is analyzed upon the formation of zinc-oxide nanoparticles. The sample surface morphology is examined by means of atomic-force microscopy and scanning electron microscopy under secondary-electron emission conditions. X-ray phase analysis of the implanted layers is carried out. © 2014 Pleiades Publishing, Ltd. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть