Influence of ion-irradiation parameters on defect formation in silicon filmsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Influence of ion-irradiation parameters on defect formation in silicon films / A. A. Shemukhin, A. V. Nazarov, Y. V. Balakshin, V. S. Chernysh // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2014. — Vol. 8, no. 2. — P. 251–253. It is shown that unlike bulk silicon, for which amorphization is observed at an irradiation dose of 5 × 1016 ion/cm2, thin silicon films on sapphire are amorphized at lower critical doses (1015 ion/cm2). An undamaged surface layer remains when the silicon films are irradiated with Si+ ion beams. Its thickness depends on the current density of the incident beam. Rutherford backscattering studies show that annealing at 950oC improves the crystallinity of the irradiated silicon film. Annealing of the films at 1100oC leads to mixing of the silicon-sapphire interface. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть