Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiationстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 31 октября 2014 г.

Работа с статьей


[1] Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation / A. A. Shemukhin, Y. V. Balakshin, V. S. Chernysh et al. // Semiconductors. — 2014. — Vol. 48, no. 4. — P. 517–520. The effect of the parameters (energy, dose) of the irradiation of silicon-on-sapphire (SOS) structures with ions Si+ ions on the quality of the silicon-film crystal structure after solid-phase epitaxial recrystallization and annealing is studied. It is shown that the most efficient mechanism of crystal-structure recovery is recrystallization from the silicon surface layer which is a seed. © 2014 Pleiades Publishing, Ltd. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть