Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
An advanced X-ray HRD studies of microdefects in Si doped GaAs bulk crystal
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 января 2018 г.
Авторы:
Lomov A.A.
,
Bushuev V.A.
, Franzosi P.,
Bocchi C.
, Imamov R.M.
Сборник:
Proc. 3rd European Symposium “X-Ray Topography and High Resolution Diffraction” (Palermo, Italy, 22-24 April 1996), P. 49
Тезисы
Год издания:
1996
Место издания:
Rome
Первая страница:
49
Последняя страница:
49
Добавил в систему:
Бушуев Владимир Алексеевич