Noise characteristics of silicon FET with nanowire channelтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Noise characteristics of silicon fet with nanowire channel / D. E. Presnov, I. V. Sapkov, I. V. Bojiev et al. // Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014", ICMNE 2014, October 6-10, Book of Abstracts. — Institute of Physics and Technology of the RAS “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, 2014. — P. P1–34.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть