Er,Yb:GdAl3(BO3)4 laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS thin filmsтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Er,yb:gdal3(bo3)4 laser passively q-switched by mbe-grown cr:zns thin films / K. N. Gorbachenya, V. E. Kisel, A. S. Yasukevich et al. // Absracts of CLEO2017. — Munich, Germany, 2017. Passively Q-switched Er,Yb:GdAB laser with MBE-grown Cr:ZnS thin film saturable absorber was demonstrated for the first time to our knowledge. Optimization of the Cr2+ concentration and film thickness will result in better laser performance. Moreover, important technological aspect is that MBE growth le absorber film directly onto the active crystal, thus demonstrating approach to fully integrated microchip laser emitting in the 1.5-1.6 μm spectral region.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть