Single Event Upset rate determination for 65 nm SRAM bit-cell in LEO radiation environmentsстатья

Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 октября 2017 г.

Работа с статьей


[1] Single event upset rate determination for 65 nm sram bit-cell in leo radiation environments / S. Muhammad, N. G. Chechenin, S. T. Frank et al. // Microelectronics and Reliability. — 2017. — Vol. 78. — P. 11–16. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть