Chemistry of Imperfections in N‐Grapheneстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 декабря 2014 г.

Работа с статьей


[1] Chemistry of imperfections in n‐graphene / D. Usachov, A. Fedorov, O. Vilkov et al. // Nano Letters. — 2014. — Vol. 14. — P. 4982–4988. Many propositions have been already put forth for the practical use of N-graphene in various devices, such as batteries, sensors, ultracapacitors, and next generation electronics. However, the chemistry of nitrogen imperfections in this material still remains an enigma. Here we demonstrate a method to handle N-impurities in graphene, which allows efficient conversion of pyridinic N to graphitic N and therefore precise tuning of the charge carrier concentration. By applying photoemission spectroscopy and density functional calculations, we show that the electron doping effect of graphitic N is strongly suppressed by pyridinic N. As the latter is converted into the graphitic configuration, the efficiency of doping rises up to half of electron charge per N atom. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть