Формирование гелиевых пузырей в приповерхностных слоях кремния плазменно-иммерсионной ионной имплантациейстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 сентября 2019 г.

Работа с статьей


[1] Ломов А. А., Чесноков Ю. М., Орешко А. П. Формирование гелиевых пузырей в приповерхностных слоях кремния плазменно-иммерсионной ионной имплантацией // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия. — 2017. — № 6. — С. 68–73. Методами высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии и просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования приповерхностных слоев подложек монокристаллического кремния Si(001), подвергнутых плазменно-иммерсионной имплантации ионами гелия с энергией 2 и 5 кэВ и дозой 5×1017 см–2. Показано, что формируемый ионами гелия приповерхностный слой имеет многослойную структуру, состоящую из верхнего субслоя аморфизованного кремния, под которым расположены субслой с гелиевыми пор-пузырями и нарушенный кристаллический субслой. Определены распределение электронной плотности по глубине, концентрация и распределение пор по размеру. Установлено, что средние размеры пор пузырей при указанных выше энергиях имплантации составляют 4 и 8 нм соответственно.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть