Complementary study of the internal porous silicon layers formed under high-dose implantation of helium ionsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 августа 2018 г.

Работа с статьей


[1] Complementary study of the internal porous silicon layers formed under high-dose implantation of helium ions / A. A. Lomov, A. V. Myakon’kikh, Y. M. Chesnokov et al. // Crystallography Reports. — 2017. — Vol. 62, no. 2. — P. 189–194. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть