Комплементарные исследования внутренних пористых слоев кремния, образованных при высокодозной имплантации ионов гелиястатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2017 г.

Работа с статьей


[1] Комплементарные исследования внутренних пористых слоев кремния, образованных при высокодозной имплантации ионов гелия / А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, Ю. Н. Чесноков и др. // Кристаллография. — 2017. — Т. 62, № 2. — С. 196–201. Методами высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии, резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии исследованы приповерхностные слои подложек Si(001), подвергнутые плазменно-иммерсионной ионной имплантации гелия с энергией 2–5 кэВ и дозой 5 × 1017 см–2. Получено распределение электронной плотности по глубине слоя, определены его элементный и фазовый составы. Установлено, что формируемый ионами гелия приповерхностный слой имеет сложное строение и состоит из верхнего аморфизированного субслоя, под которым находится слой с пористостью 30–35%. Показано, что наиболее резкие границы пористого слоя формируются при меньшей энергии имплантируемых ионов. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть