|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
SnF2@ОСУНТ – перспективная присадка в катод твердотельного фтор-ионного гальванического элементатезисы доклада
- Авторы: Левкевич Е.А., Закалюкин Р.М.
- Сборник: Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты: сборник трудов Национальной научно-практической конференции./ под ред. С.У.Увайсова (2024 год)
- Тезисы
- Год издания: 2024
- Издательство: МИРЭА-Российский технологический университет
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 622
- Последняя страница: 626
- Аннотация: Синтезирован и исследован методами рентгенофазового анализа и просвечивающей электронной микроскопии нанокомпозит внедрения фтор-ионного проводника фторида олова SnF2 в каналы однослойных углеродных нанотрубок – SnF2@ОСУНТ. Предложено два варианта модели атомной структуры SnF2 в канале нанотрубки. Полученный нанокомпозит, обладающий смешанной электронно-ионной проводимостью, изучен в качестве присадки в катодный материал твердотельного фтор-ионного гальванического элемента. По результатам циклической вольтамперометрии показано, что гальванический элемент с присадкой нанокомпозита имеет плотность тока 0.894 А/м2 (180оC), что в 1.33 раза выше, чем у гальванического элемента без присадок.
- Добавил в систему: Левкевич Екатерина Александровна