|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Дефектообразование в эпитаксиальных слоях GaSb, легированного Cd и Snстатья
- Авторы: Арбенина В.В., Волошин А.Э., Скаковский С.И.
- Журнал: Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы
- Том: 22
- Год издания: 1986
- Первая страница: 721
- Последняя страница: 725
- Добавил в систему: Волошин Алексей Эдуардович