Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wellsстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.

Работа с статьей


[1] Temperature-driven single-valley dirac fermions in hgte quantum wells / M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, S. S. Krishtopenko et al. // Physical Review B. — 2017. — Vol. 96, no. 3. — P. 035405. We report on the temperature-dependent magnetospectroscopy of two HgTe/CdHgTe quantum wells below and above the critical well thickness dc. Our results, obtained in magnetic fields up to 16 T and s temperature range from 2 to 150 K, clearly indicate a change in the band-gap energy with temperature. A quantum well wider than dc evidences a temperature-driven transition from topological insulator to semiconductor phases. At a critical temperature of 90 K, the merging of inter- and intraband transitions in weak magnetic fields clearly specifies the formation of a gapless state, revealing the appearance of single-valley massless Dirac fermions with a velocity of 5.6×105ms−1. For both quantum wells, the energies extracted from the experimental data are in good agreement with calculations on the basis of the eight-band Kane Hamiltonian with temperature-dependent parameters. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть