Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторестатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.

Работа с статьей


[1] Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе / Д. Е. Преснов, С. В. Амитонов, В. С. Власенко, В. А. Крупенин // Радиотехника. — 2014. — № 1. — С. 35–39. Разработан метод изготовления одноэлектронного транзистора из высоколегированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Легирующая примесь с концентрацией более 1020 см-3 была сосредоточена в верхнем слое кремния толщиной 55 нм. Формирование элементов структуры одноэлектронного транзистора происходило с помощью серии последовательных процессов анизотропного и изотропного травления во фторсодержащей плазме с промежуточным контролем электрических параметров. Измерены вольтамперные и модуляционные характеристики экспериментальных структур при температуре 4,2 К. Дан анализ возможности использования кремниевого одноэлектронного транзистора в качестве сверхчувствительного зарядового/полевого сенсора для широкого круга задач.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть