|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральскогостатья
- Авторы: Верезуб Н.А., Простомолотов А.И.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Том: 4
- Год издания: 2023
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Аннотация: Обсуждается применение вращающегося магнитного поля (ВМП) в технологии выращивания кристаллов полупроводников из расплава методом Чохральского (МЧ), в том числе рассматриваются и применяются для верификации результатов данной работы известные данные физического моделирования течений электропроводящего раствора KOH в цилиндрическом тигле в ВМП. Рассматривается математическая модель гидродинамических процессов применительно к выращиванию монокристаллов кремния диаметром 100 мм на установке Редмет-30, оснащенной ВМП-магнитом. Приводятся результаты теста расчетного профиля азимутальной скорости с данными измерений в растворе KOH. В виде диаграммы устойчивости обобщаются результаты параметрических исследований устойчивости течений расплава в зависимости от частоты и величины индукции ВМП.
- Добавил в систему: Верезуб Наталия Анатольевна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Ishodyaschee_pismo_2023_12_19.pdf | Ishodyaschee_pismo_2023_12_19.pdf | 171,0 КБ | 21 декабря 2023 [naverezub] |