|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ON THE COMPARISON OF REACTIVE-ION ETCHING MECHANISMS FOR SiO2 AND Si3N4 IN HBr + Ar PLASMAстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Efremov A.M., Betelin V.B., Kwon K.H.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология
- Том: 66
- Номер: 6
- Год издания: 2023
- Издательство: Иван. химико-технол. ун-т
- Местоположение издательства: Иваново
- Первая страница: 37
- Последняя страница: 45
- DOI: 10.6060/ivkkt.20236606.6786
- Добавил в систему: Стамов Любен Иванович