|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Рентгеноспектральное исследование кристаллов и стекол систем As-Se-Ge и As-Se-Snстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Макаров Л.Л., Школьников Е.В., Батраков Ю.Ф., Зайцев Ю.М., Яневич О.Б., Аксенов Н.Д.
- Журнал: Физика и химия стекла
- Том: 10
- Номер: 1
- Год издания: 1984
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 8
- Последняя страница: 15
- Аннотация: Рентгеноспектральным методом определены химические сдвиги Kа1-линий и эффективные заряды атомов As, Se, Ge и Sn в халькогенидных полупроводниковых стеклах As2Se3, AsSe, GeSe2, Ge2Se3, AsGeSe, AsSe1.5Gex(x<2), AsSe1.5Snx(x<0.28) и в кристаллах GeAs? GeSe,GeSe2, SnSe и SnSe2. На основе анализа этих результатов и данных измерения плотности, микротвердости и параметров электропроводности стекол предложены структурно-химические модели стекол AsSe1.5Gex(x<2) и AsSe1.5Snx(x<0.28). The chemical shifts of Ka1 lines and effective charges of As, Se, Ge and Sn atoms in chalcogenide semiconductor glasses As2Se3, AsSe, GeSe2, Ge2Se3, AsGeSe, AsSe1.5Gex(x<2), AsSe1.5Snx(x<0.28) and in crystals GeAs? GeSe,GeSe2, SnSe and SnSe2. Based on the analysis of these results and the data of density, microhardness and conductivity parameters of the glasses, structural and chemical models of AsSe1.5Gex(x<2) and AsSe1.5Snx(x<0.28) glasses have been proposed.
- Добавил в систему: Школьников Евгений Васильевич