|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Kinetics and mechanism of the isothermal bulk crystallization of As2Se3SnX (x<0.55)статья
- Автор: Shkol’nikov E.V.
- Журнал: Inorganic Materials
- Том: 53
- Номер: 11
- Год издания: 2017
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 1195
- Последняя страница: 1200
- DOI: 10.1134/S0020168517110115
- Аннотация: The kinetics and mechanism of stepwise transformations during bulk isothermal crystallization of semiconductor glasses As2Se3Snx (x = 0.26, 0.40, 0.55) in the temperature range of 210-310 °C have been investigated by the methods of 119Sn NAGRS, XRD, density, microhardness and electrical conductivity of quenched samples. It was found that the primary fine-dispersed SnSe phase initiates heterogeneous nucleation and two-dimensional crystal growth of the secondary main phase As2Se3.
- Добавил в систему: Школьников Евгений Васильевич