|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Полупроводниковые тонкодисперсные стеклокристаллы на основе селенида мышьяка и оловастатья
- Авторы: Школьников Е.В., Борисова З.У.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 2
- Номер: 4
- Год издания: 1966
- Первая страница: 670
- Последняя страница: 678
- Аннотация: Методом поэтапной изотермической термообработки халькогенидных стекол AsSe1.5Sn0.278 в интервал 210-310 С впервые получены тонкодисперсные полупроводниковые стеклокристаллические материалы(ситаллы) с повышенной прочностью на истирание, микротвердостью и химической стойкостью.На первой ступени выделялась равномерно по всему объему кристаллическая фаза SnSe, инициатор кристаллизации вторичной основной фазы As2Se3.На основе измерений плотности кристаллизующихся стекол определен процент расстекловывания и определены энергия активации этого процесса и мерность роста кристаллических зародышей с использованием уравнения Колмогорова-Аврами для каждой ступени.By the method of step-by-step isothermal heat treatment of chalcogenide glasses AsSe1.5Sn0.278 in the interval 210-310 C, fine semiconducting glass-crystalline materials (sithals) with increased abrasion resistance, microhardness and chemical resistance were obtained for the first time. At the first stage, the crystalline phase SnSe, the initiator of crystallization of the secondary main phase As2Se3, was released uniformly throughout the entire volume. On the basis of measurements of the density of crystallizing glasses, the percentage of unglazing was determined and the activation energy of this process and the measure of growth of crystalline nuclei were determined using the Kolmogorov-Avrami equation for each stage.
- Добавил в систему: Школьников Евгений Васильевич