|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Кинетика и механизм объемной изотермической кристаллизации стекол As2Se3SnX(Х≤0.55статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июня 2024 г.
- Автор: Школьников Е.В.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 53
- Номер: 11
- Год издания: 2017
- Первая страница: 1218
- Последняя страница: 1224
- DOI: 10.7868/S0002337X17110148
- Аннотация: Методами ЯГРС 119Sn, РФА, измерения плотности, микротвердости и электропроводности закален‑ных образцов исследованы кинетика и механизм ступенчатых превращений при объемной изотерми‑ческой кристаллизации полупроводниковых стекол As2Se3Snх (х = 0.26, 0.40, 0.55) в интервале темпе‑ратур 210–310 °С. Установлено, что первичная тонкодисперсная фаза SnSe инициирует гетерогенноезарождение и двумерный рост кристаллов вторичной основной фазы As2Se3.
- Добавил в систему: Школьников Евгений Васильевич