|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Effect of Si+ Ion Implantation in α-Ga2O3 Films on Their Gas Sensitivityстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или ScopusДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июня 2024 г.
- Авторы: Yakovlev Nikita, Almaev Aleksei, Butenko Pavel, Tetelbaum David, Mikhaylov Alexey, Nikolskaya Alena, Pechnikov Aleksei, Stepanov Sergey, Boiko Mikhail, Chikiryaka Àndrei, Nikolaev Vladimir
- Журнал: IEEE Sensors Journal
- Том: 23
- Номер: 3
- Год издания: 2023
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 1885
- Последняя страница: 1895
- Аннотация: The effect of the Si+ ion implantation on the gas-sensing properties of single-crystal (0001) α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) has been studied. It is established that irradiation with a dose of 8 × 1012– 8 × 1015 cm−2 at an energy of 100 keV followed by post implantation annealing increases the response of α-Ga2O3 films to 3 vol% of H2 by 43 times at 400 ◦C, reduces the response time by a factor of 6, and expands the operating temperature range down to 30 ◦C. In addition, α-Ga2O3 layers irradiated with a Si+ ion dose of 8 × 1013–8 × 1015 cm−2 demonstrate high sensitivity to CO and NH3 gases. The mechanism of Si+ ion irradiation effect on the gas-sensing properties of α-Ga2O3 structures is proposed.
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич