Cyclotron resonance of dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wellsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 июня 2017 г.

Работа с статьей


[1] Cyclotron resonance of dirac fermions in inas/gasb/inas quantum wells / S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Maremyanin et al. // Semiconductors. — 2017. — Vol. 51, no. 1. — P. 38–42. The band structure of three-layer symmetric InAs/GaSb/InAs quantum wells confined between AlSb barriers is analyzed theoretically. It is shown that, depending on the thicknesses of the InAs and GaSb layers, a normal band structure, a gapless state with a Dirac cone at the center of the Brillouin zone, or inverted band structure (two-dimensional topological insulator) can be realized in this system. Measurements of the cyclotron resonance in structures with gapless band spectra carried out for different electron concentrations confirm the existence of massless Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть