|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The effect of order and dose of H and He sequential implantation on defect formation and evolution in siliconстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Nguyen Phuong, Bourdelle K.K., Maurice T., Sousbie N., Boussagol A., Hebras X., Portigliatti L., Letertre F., Tauzin A., Rochat N.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 101
- Номер: 3
- Год издания: 2007
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.2432380
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович