High mobility Si/Si&lt;inf&gt;0.5&lt;/inf&gt;Ge&lt;inf&gt;0.5&lt;/inf&gt;/strained SOI p-MOSFET with HfO&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt; /TiN gate stack

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

High mobility Si/Si<inf>0.5</inf>Ge<inf>0.5</inf>/strained SOI p-MOSFET with HfO<inf>2</inf> /TiN gate stackстатья