|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
MOSFETs with high mobility channel materials and higher-k/metal gate stackстатья
- Сборник: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
- Год издания: 2010
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/icsict.2010.5667458