Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Strained Si nanowire tunnel FETs and inverters
статья
Авторы:
Zhao Q.T.
,
Knoll L.
,
Richter S.
,
Schmidt M.
,
Blaeser S.
,
Luong G.V.
,
Wirths S.
,
Nichau A.
,
Schafer A.
,
Trellenkamp S.
,
Hartmann J.M.
,
Bourdelle K.K.
,
Buca D.
,
Mantl S.
Сборник:
2013 Third Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S)
Год издания:
2013
Место издания:
IEEE
DOI:
10.1109/e3s.2013.6705867
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович