|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Laser-Plasma Sources of Ionizing Radiation for Simulation of Radiation Effects in Microelectronic Materials and Componentsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 октября 2017 г.
- Авторы: Tsymbalov I.N., Ivanov K.A., Volkov R.V., Savel’ev A.B., Novikov L.S., Galanina L.I., Chirskaya N.P., Bychenkov V.Yu, Chumakov A.I.
- Журнал: Inorganic Materials: Applied Research
- Том: 8
- Номер: 3
- Год издания: 2017
- Первая страница: 359
- Последняя страница: 363
- DOI: 10.1134/S2075113317030248
- Аннотация: The characteristics of the X-ray and gamma pulses as well as pulsed proton fluxes induced by the action of femotsecond laser pulses (800 nm, 1018 W/cm2) on the surface of liquid gallium and solid molybdenum targets are measured. Estimated calculations show the possibility in principle of availability of these ionizing radiation sources for experimental simulation of single-event effects in advanced microelectronic components with a high degree of integration.
- Добавил в систему: Чирская Наталья Павловна