|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Химические методы нанесения слоев оксида графена, дисульфида молибдена и углеродных наночастиц для мемристивных светочувствительных структуртезисы доклада
- Авторы: Митюшев Н.Д., Панин Г.Н., Баранов А.Н.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2022»
- Редакторы: Алешковский Иван Андреевич, Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович, Зимакова Екатерина Игоревна
- Тезисы
- Год издания: 2022
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Аннотация: Мемристоры-это двух-электродные устройства, резистивные состояния которых изменяются при прохождении через них заряда, и эти состояния энерго-независимы. По сравнению с 3D материалами, на которых был открыт эффект резистивного переключения, 2D материалы, такие как оксид графена (GO) и дисульфид молибдена (MoS2), позволяют создавать атомарно-тонкие структуры и использовать их уникальные структурные, электрические и оптические свойства. Двумерные материалы могут быть модифицированы с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), что дает возможность эффективно контролировать резистивные состояния с помощью света.Целью нашей работы было создание планарной структуры на основе оксида графена и дисульфида молибдена с использованием углеродных наночастиц для контроля фоторезистивного переключения в видимом диапазоне.Работа состояла из следующих этапов:1)Нанесение на вращающуюся подложку коллоидных растворов GO и MoS2. В качестве подложек использовались измерительные структуры, изготовленные методом фото и электронно-лучевой литографии (ИПТМ РАН).2)Контроль равномерности и состава нанесенных нанослоев с помощью Рамановской и ИК-спектроскопии3)Измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) полученных структур с и без облучения светом в видимом диапазоне.Было получено несколько светочувствительных мемристивных структур. На одной из них было зафиксировано резистивное переключение, чувствительное к зеленому и красному лазеру, а также к свету белого светодиода. Проводимость структуры при этом варьируется в пределах нескольких порядков при прямой и обратной развертке напряжения в диапазоне от -1 В до +1 В. Ниже приведена ее ВАХ
- Добавил в систему: Митюшев Никита Дмитриевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Сертификат об участии | invite.pdf | 701,1 КБ | 18 августа 2023 [MitiushevND] | |
| 2. | Первая страница | Тезисы в сборнике | Lomonosov_2022.pdf | 81,8 КБ | 18 августа 2023 [MitiushevND] |