Влияние параметров ионного облучения на образование дефектов в пленках кремниястатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Влияние параметров ионного облучения на образование дефектов в пленках кремния / А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, А. В. Назаров, В. С. Черныш // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2014. — № 3. — С. 56–58. Показано, что в отличие от массивного кремния, для которого аморфизация наблюдается при дозе облучения 5 × 10^16 ион/см2, пленки кремния на сапфире аморфизуются при меньших критических дозах (10^15 ион/см2. При бомбардировке пленок кремния пучками ионов Si+ вблизи поверхности остается неразрушенный облучением слой. Его толщина зависит от плотности тока пучка. С помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов установлено, что структура облученной кремниевой пленки значительно улучшается после отжига при температуре 950oС. Отжиг пленок при температуре 1100oС ведет к перемешиванию атомов пленки и подложки на границе раздела кремний–сапфир. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть