Modification of Silicon Nanostructures by Cold Atmospheric Pressure Plasma Jetsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 февраля 2024 г.
Аннотация:Струи холодной атмосферной плазмы (CAP) с плазмообразующими газами гелием (He) и аргоном (Ar) использовались для модификации структуры, фотолюминесценции (PL) и электрических свойств массивов кремниевых нанопроволок (SiNWs) с начальными размерами поперечного сечения порядка 100 нм и длиной около 7-8 микрон. Источник CAP состоял из генератора напряжения 30 кГц с полной мощностью до 5 Вт, а обработка CAP в течение 1-5 мин приводила к распылению кончиков SINW с последующим повторным осаждением атомов кремния. В массивах SiNW, обработанных плазмой, наблюдалось увеличение фазы оксида кремния и уменьшение интенсивности ФЛ. Уменьшение концентрации свободных дырок и увеличение плотности свободных электронов были обнаружены в SINW, сильно легированных бором и фосфором, соответственно, поскольку это отслеживалось с помощью рамановской спектроскопии, учитывая связь рассеяния света на фононах и свободных носителях заряда (эффект Фано) в SINW. Полученные результаты демонстрируют, что плазменная обработка может быть использована для изменения длины, рельефа, интенсивности свечения и электрических свойств кремниевых нанопроволок для возможного применения в оптоэлектронике и сенсорике.