|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The Field-Effect Transistor Based on a Polyyne–Polyene Structure Obtained via PVDC Dehydrochlorinationстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 февраля 2024 г.
- Авторы: Streletskiy Oleg A., Zavidovskiy Ilya A., Nuriahmetov Islam F., Khaidarov Abdusame A., Pavlikov Alexander V., Minnebaev Kashif F.
- Журнал: Journal of Composites Science
- Том: 7
- Номер: 7
- Год издания: 2023
- Издательство: MDPI
- Местоположение издательства: Basel, Switzerland
- Первая страница: 264
- DOI: 10.3390/jcs7070264
- Аннотация: We report on the formation of the field-effect transistor based on a polyyne–polyene structure. Polyvinylidene chloride (PVDC) drop casting and its subsequent dehydrochlorination in KOH solution allowed for the formation of porous polyyne–polyene material, which was analyzed via transmission electron microscopy, Fourier-transform infrared spectroscopy, and Raman spectroscopy, revealing the presence of sp- and sp2-hybridized chained fragments in the structure. The polyyne–polyene-based field-effect transistor showed a transconductance of 3.2 nA/V and a threshold voltage of −0.3 V. The obtained results indicate that polyyne–polyene-based transistors can be used as discrete elements of molecular electronics and that subsequent studies can be aimed toward the development of selective polyyne–polyene-based gas sensors with tunable sensitivity.
- Добавил в систему: Завидовский Илья Алексеевич