|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Вклад состояний на интерфейсах в терагерцовую фотопроводимость в структурах на основе Hg1-xCdxTe с инверсным спектромстатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Казаков А.С., Галеева А.В., Артамкин А.И., Иконников А.В., Чмырь С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
- Журнал: Известия Российской академии наук. Серия физическая
- Том: 87
- Номер: 6
- Год издания: 2023
- Первая страница: 843
- Последняя страница: 848
- DOI: 10.31857/S0367676523701466
- Аннотация: В работе экспериментально выявлены различия электронных состояний в топологических материалах на основе эпитаксиальных пленок Hg1-xCdxTe, с необходимостью формирующихся на границах топологической фазы с вакуумом и с тривиальным буфером в областях гетероперехода. Было продемонстрировано, что наблюдаемая в указанных структурах PT-симметричная терагерцовая фотопроводимость обусловлена именно состояниями в области интерфейсов топологическая пленка/тривиальный буфер (или покровный слой).
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|