Asymmetry of Magnetization Reversal of Pinned Layer in NiFe/Cu/NiFe/IrMn Spin-Valve Structureстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 октября 2014 г.

Работа с статьей


[1] Asymmetry of magnetization reversal of pinned layer in nife/cu/nife/irmn spin-valve structure / N. G. Chechenin, P. N. Chernykh, S. A. Dushenko et al. // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. — 2014. — Vol. 6, no. 27. — P. 1547–1552. Two types of asymmetry in giant magnetoresistance (GMR) are observed which are not related to a training effect, but indicate different mechanisms of magnetization reversal of the pinned layer in spin-valve (SV) structures for ascending and descending field scans. GMR, exchange bias and coercivity in Si/Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta SV-structures were investigated as functions of the thickness of the nonmagnetic spacer. The spacer thickness effects are discussed in correlation with layers microstructure and interfaces morphology variations. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть