Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторестатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Власенко B. C. Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторе // Радиотехника. — 2008. — Т. 1, № 1. — С. 78–83. Исследованы сигнальные и шумовые характеристики одноэлектронного транзистора на основе высокодопированного кремния-на-изоляторе (КНИ). Проведено их сравнение с характеристиками классического одноэлектронного транзистора на основе AI/AIOx/AI туннельных переходов. Показано, что уровни зарядового шума и формы их низкочастотных спектров близки друг к другу, а токовая чувствительность кремниевого транзистора в 3 - 4 раза выше.In this work signal and noise characteristics of the single-electron transistor based on highly doped silicon-on-insulator were studied. The comparison these characteristics with ones of the traditional single-electron transistor based on AI/AIOx/AI junctions wascarried out. It has shown that the charge levels and the shape of their spectra are very close to each other, but the current sensitivity of a silicon transistor is 3 - 4 times higher.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть