|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ПАРАМАГНИТНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛАХ СИСТЕМЫ Ge-S-Bi С ИЗМЕНЕНИЕМ ТИПА ПРОВОДИМОСТИтезисы доклада
- Авторы: Чепелева И.В., Ермакович К.К.
- Сборник: Сборник трудов VI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
- Тезисы
- Год издания: 2008
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 236
- Последняя страница: 237
- Аннотация: Для изучения связи между свойствами ХСП и природой дефектов в них особый интерес представляет тройная система Ge-S-Bi: в ней имеет место инверсия знака про-водимости от р- к n-типу [1-3] (напр. в (GeS3)100-xBix при х = 8) и, кроме того, наблюдаются собственные парамагнитные дефекты (как и в исходной бинарной системе Ge-S, так и в некоторых тройных системах на ее основе). Целью данной работы было изучение с помощью ЭПР собственных (СД) и радиационных (РД) дефектов в стеклах (GeS3)100-xBix (x = 0 – 12,) и выявление возможной корреляции между дефектами и изменением типа проводимости (ИТП).
- Добавил в систему: Чепелева Ирина Владимировна