THE MECHANISM OF ENERGY MIGRATION OF EXCITED DYE MOLECULES ADSORBED ON SEMICONDUCTOR SURFACEстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] The mechanism of energy migration of excited dye molecules adsorbed on semiconductor surface / S. VINTSENTS, V. KISELEV, L. LEVSHIN et al. // Doklady Akademii nauk SSSR. — 1984. — Vol. 274, no. 10. — P. 96–99.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть