|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Galvanic synthesis of ZnO and ZnO(Al) coatings from dimethylsulfoxide electrolytic bathsстатья Исследовательская статья
- Авторы: Martynova Natalia A., Lepnev Leonid S., Tsymbarenko Dmitry M., Maslakov Konstantin I., Shatalova Tatyana B., Savilov Serguei V., Grigorieva Anastasia V.
- Журнал: Journal of Advanced Materials and Technologies
- Том: 8
- Номер: 1
- Год издания: 2023
- Издательство: Тамбовский государственный технический университет
- Местоположение издательства: Тамбов
- Первая страница: 8
- Последняя страница: 19
- DOI: 10.17277/jamt.2023.01.pp.008-019
- Аннотация: Электрохимическое формирование покрытий прозрачных полупроводниковых оксидов на основе цинкита – привлекательный универсальный и легкомасштабируемый метод, который является многообещающим для оптоэлектроники и химических сенсоров. Сложность в формировании покрытий на основе оксида цинка и легированных составов, таких как ZnO(Al), путем электрохимического соосаждения производных цинка и алюминия в водных средах связана с различием окислительно-восстановительных потенциалов двух металлов и формированием гальванических осадков гидратированных оксидов цинка и алюминия. Применение неводных сред в роли электролитов цинкования может позволить сформировать биметаллический осадок для последующего контролируемого окисления до оксида (AZO). В рамках данной статьи в роли растворителя выступал диметилсульфоксид (ДМСО). Показано, что особенности нуклеации и роста фазы цинкита в электролитах на основе ДМСО приводят к образованию значительно более пористых покрытий металлического цинка, окисляемого в дальнейшем до цинкита, по сравнению с процессами вводных электролитах. Оптимизированы составы неводных электролитов и потенциалы формирования пленок в потенциостатическом режиме. Изучены корреляции микроструктуры и элементного состава от условий протекания гальванического процесса. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано присутствие алюминия на поверхности образцов в двух различных валентных состояниях, что может быть следствием дефектности структуры вюрцита и присутствием фазы γ-Al2O3 – вероятного продукта сегрегации. Показано, что предложенный синтетический подход может быть перспективен для направленного формирования пористых тонкостенных покрытий цинкита с варьируемой степенью дефектности структуры.
- Добавил в систему: Григорьева Анастасия Вадимовна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Текст статьи | 01_Martynova_et_al_8-19.pdf | 3,0 МБ | 21 мая 2023 [grigorieva] |