Pulsed laser deposition of ITO thin films and their characteristicsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Pulsed laser deposition of ito thin films and their characteristics / D. A. Zuev, A. A. Lotin, O. A. Novodvorsky et al. // Semiconductors. — 2012. — Vol. 46, no. 3. — P. 410–413. The indium tin oxide (ITO) thin films are grown on quartz glass substrates by the pulsed laser deposition method. The structural, electrical, and optical properties of ITO films are studied as a function of the substrate temperature, the oxygen pressure in the vacuum chamber, and the Sn concentration in the target. The transmittance of grown ITO films in the visible spectral region exceeds 85%. The minimum value of resistivity 1.79 x 10(-4) Omega cm has been achieved in the ITO films with content of Sn 5 at %. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть