Исследование особенностей рассеяния носителей в Pb1-xGexTe в окрестности фазового переходатезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Абдуллин Х. А., Зломанов В. П., Лебедев А. И. Исследование особенностей рассеяния носителей в pb1-xgexte в окрестности фазового перехода // Материалы VI Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов. 1983. — 1983. — С. 217–218.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть