Pyrosol Deposited Gallium Doped Zinc Oxide Thin Films For Crystalline-Silicon Solar Cellsстатья

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Pyrosol deposited gallium doped zinc oxide thin films for crystalline-silicon solar cells / G. G. Untila, T. N. Kost, A. B. Chebotareva et al. // Proceedings 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference. — WIP-Munich Munich, 2013. — P. 1048–1052. The paper presents a study of gallium-doped zinc oxide (GZO) films ∼225 and ∼370 nm thick for crystalline silicon solar cell applications. The films were grown by ultrasonic spray pyrolysis at 400 oC in argon on (nn+)Si, (pp+)Si, and (p+nn+)Si structures and microscope slides. The Ga/Zn ratio in the film-forming solution was varied in the range of 0–15 at.%. The films were annealed for 10 min at 400 oC in an argon + methanol vapor mixture. We report the morphology of the films, absorption spectra, and resistivity, the time variation of their resistivity, and the photovoltage of GZO/(nn+)Si, GZO/(pp+)Si, and GZO/(p+nn+)Si structures. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть