|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materialsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 апреля 2017 г.
- Авторы: Babich A., Sherchenkov A., Kozyukhin S., Lazarenko P., Timoshenkov S., Boytsova O.
- Журнал: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
- Том: 18
- Номер: 3-4
- Год издания: 2016
- Издательство: National Institute of Research and Development for Optoelectronics
- Местоположение издательства: Romania
- Первая страница: 235
- Последняя страница: 239
- Добавил в систему: Козюхин Сергей Александрович
Библиографическая ссылка на публикацию в стиле
ГОСТ |
plain |
abbrv |
acm |
alpha |
amsalpha |
amsplain |
apalike |
ieeetr |
siam
| [1] | Investigation of the crystallization kinetics in ge-sb-te-bi and ge-sb-te-in phase-change memory materials / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin et al. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. — 2016. — Vol. 18, no. 3-4. — P. 235–239. |