Место издания:Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург
Первая страница:30
Аннотация:Напряженные гетероструктуры лежат в основе технологии современных полупроводниковых лазеров, и роль внутренних напряжений несоответствия кристаллических решеток в формировании спектра квантовых ям и оптических характеристик диодов хорошо изучена. В настоящей работе представлены результаты численных расчетов о влиянии на излучающий элемент анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий.