|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Quantum Interference Effect on Exciton Transport in Monolayer Semiconductorsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 июня 2024 г.
- Автор: Glazov M.M.
- Журнал: Physical Review Letters
- Том: 124
- Номер: 16
- Год издания: 2020
- Издательство: American Physical Society
- Местоположение издательства: United States
- Номер статьи: 166802
- DOI: 10.1103/physrevlett.124.166802
- Аннотация: We study theoretically weak localization of excitons in atomically thin transition metal dichalcogenides. The constructive interference of excitonic de Broglie waves on the trajectories forming closed loops results in a decrease of the exciton diffusion coefficient. We calculate the interference contribution to the diffusion coefficient for the experimentally relevant situation of exciton scattering by acoustic phonons and static disorder. For the acoustic phonon scattering, the quantum interference becomes more and more important with increasing the temperature. Our estimates show that the quantum contribution to the diffusion coefficient is considerable for the state-of-the-art monolayer and bilayer transition metal dichalcogenides.
- Добавил в систему: Глазов Михаил Михайлович