Formation and analysis of the specific features of the electronic structure of an array of Ge/ZnSe nanoscale heterostructuresстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 апреля 2017 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст MRX_2016-3_115004.pdf 1,8 МБ 24 мая 2017 [RiVal]

[1] Formation and analysis of the specific features of the electronic structure of an array of ge/znse nanoscale heterostructures / A. N. Beltiukov, F. Z. Gilmutdinov, R. G. Valeev et al. // Materials Research Express. — 2016. — Vol. 3, no. 11. — P. 115004–115004. This paper describes a method for forming an array of Ge/ZnSe nanoheterostructures by vacuum thermal evaporation. ZnSe and Ge layers were deposited on an anodic aluminum oxide surface with a pore diameter of 24 nm. Scanning electron microscopy showed that nanoheterostructures are formed in the pore channels. The features of the electron structure of the samples obtained were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy and optic absorption spectroscopy. These investigations showed that the band gap of germanium increases. Also, there is a significant increase in valence band discontinuity (to 3.6 eV). Thus, we obtained Ge/ZnSe heterostructures with non-overlapping band gaps or broken-gap heterostructures. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть